MRAM nie upowszechni się szybko
17 lipca 2006, 10:04Firma analityczna Gartner uważa, że magnetorezystywne układy pamięci (MRAM), nie trafią do powszechnego użycia przed 2010 rokiem. Przed kilkoma dniami firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu produkcji tego typu kości.
Nowy algorytm lepiej wyszuka produkt w sklepie i przetłumaczy nasz język na inny
10 grudnia 2019, 11:57Badacze z Rice University i Amazona poinformowali właśnie o dokonaniu ważnego przełomu, dzięki któremu rozwiązanie problemów związanych z dopasowaniem, czy to w algorytmach do wyszukiwania towarów w sklepie czy algorytmach tłumaczenia pomiędzy językami, będzie wymagało znacznie mniej zasobów niż obecnie.
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
Rekordowe spadki na rynku półprzewodników
26 lutego 2009, 12:25Gartner przewiduje, że w bieżącym roku światowy przemysł półprzewodnikowy będzie świadkiem olbrzymich spadków przychodów. Kryzys gospodarczy spowoduje, że będą one znacznie niższe, niż prognozowano jeszcze w połowie grudnia.
Czeka nas dramatyczny spadek cen układów pamięci
30 sierpnia 2011, 10:59Analitycy prognozują, że wkrótce będziemy świadkami olbrzymiego spadku cen układów pamięci DRAM. W drugim kwartale 2-gigabitowa kość DDR3 kosztowała u producenta 2,10 USD. Jeszcze w trzecim kwartale średnia cena tego typu układów może spaść do 1,60 USD, w czwartym kwartale spadek może sięgnąć kolejnych 22%, a cena kości osiągnie poziom 1,25 USD
Ruszyła największa na świecie fabryka układów pamięci
23 września 2011, 10:45Samsung uruchomił największą na świecie fabrykę układów pamięci. Rozpoczęto w niej produkcję układów DDR3 DRAM z wykorzystaniem 20-nanometrowej technologii.
Nowy kontroler i tańsze SSD
7 stycznia 2016, 10:31Podczas rozpoczętych właśnie targów CES 2016 Marvell zaprezentuje kontroler dla SSD, który współpracuje z protokołem NVMe v. 1.2. Protokół ten pozwala na wykorzystanie pamięci RAM komputera w roli pamięci cache SSD
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Samsung umieścił sztuczną inteligencję wewnątrz układu pamięci
18 lutego 2021, 13:08Firma Samsung Electronics poinformowała o stworzeniu pierwszego modułu High Bandwidth Memory (HBM) zintegrowanego z modułem obliczeniowym wykorzystującym sztuczną inteligencję – HBM-PIM. Architektura processing-in-memory (PIM) umieszczona wewnątrz wysokowydajnych modułów pamięci ma służyć przede wszystkim przyspieszeniu przetwarzania danych
Ruszyła masowa produkcja 60-nanometrowych kości DRAM
4 marca 2007, 11:23Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję pierwszych w historii 1-gigabitowych kości DDR2 wykonanych w technologii 60 nanometrów. Wdrożenie nowego procesu technologicznego oznacza 40% wzrost wydajności produkcji w porównaniu z technologią 80 nanometrów.
