Pamięć razy dwa
28 września 2007, 08:21Zespół naukowców z Northwestern University i NEC Laboratories America opracował technologię kompresji, która dwukrotnie zwiększa pojemność pamięci w systemach wbudowanych, takich jak telefony komórkowe czy aparaty.
Napięcie udoskonala MeRAM
17 grudnia 2012, 11:02Inżynierowie z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles (UCLA) zastąpili przepływ elektronów napięciem elektrycznym i dokonali w ten sposób znacznego udoskonalenia pamięci MeRAM (magnetoelektryczna pamięć o swobodnym dostępie). MeRAM może w przyszłości zastąpić obecnie stosowane technologie pamięci
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
Rekordowe spadki na rynku półprzewodników
26 lutego 2009, 12:25Gartner przewiduje, że w bieżącym roku światowy przemysł półprzewodnikowy będzie świadkiem olbrzymich spadków przychodów. Kryzys gospodarczy spowoduje, że będą one znacznie niższe, niż prognozowano jeszcze w połowie grudnia.
Super Talent 100-krotnie przyspiesza USB?
9 września 2010, 11:05W ofercie firmy Super Talent znalazły się cztery klipsy USB korzystające z łącza w wersji 3.0. Dwa z nich wyposażono w pamięć podręczną DRAM, dzięki czemu, jak zapewnia producent, wydajność przy obsłudze dużej liczby niewielkich plików wzrosła o 300%.
Czeka nas dramatyczny spadek cen układów pamięci
30 sierpnia 2011, 10:59Analitycy prognozują, że wkrótce będziemy świadkami olbrzymiego spadku cen układów pamięci DRAM. W drugim kwartale 2-gigabitowa kość DDR3 kosztowała u producenta 2,10 USD. Jeszcze w trzecim kwartale średnia cena tego typu układów może spaść do 1,60 USD, w czwartym kwartale spadek może sięgnąć kolejnych 22%, a cena kości osiągnie poziom 1,25 USD
Ruszyła największa na świecie fabryka układów pamięci
23 września 2011, 10:45Samsung uruchomił największą na świecie fabrykę układów pamięci. Rozpoczęto w niej produkcję układów DDR3 DRAM z wykorzystaniem 20-nanometrowej technologii.
Nowy kontroler i tańsze SSD
7 stycznia 2016, 10:31Podczas rozpoczętych właśnie targów CES 2016 Marvell zaprezentuje kontroler dla SSD, który współpracuje z protokołem NVMe v. 1.2. Protokół ten pozwala na wykorzystanie pamięci RAM komputera w roli pamięci cache SSD
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Samsung umieścił sztuczną inteligencję wewnątrz układu pamięci
18 lutego 2021, 13:08Firma Samsung Electronics poinformowała o stworzeniu pierwszego modułu High Bandwidth Memory (HBM) zintegrowanego z modułem obliczeniowym wykorzystującym sztuczną inteligencję – HBM-PIM. Architektura processing-in-memory (PIM) umieszczona wewnątrz wysokowydajnych modułów pamięci ma służyć przede wszystkim przyspieszeniu przetwarzania danych
